SK하이닉스-TSMC 'HBM 6세대' 개발 맞손

SK하이닉스가 세계 최대 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 대만 TSMC와 함께 차세대 HBM(고대역폭메모리) 생산과 첨단 패키징 기술 역량 강화에 나선다.

SK하이닉스는 TSMC와 최근 대만 타이베이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 TSMC와 협업해 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다고 19일 밝혔다.

SK하이닉스는 "AI 메모리 글로벌 리더로서 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한 번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 말했다.

양사는 이를 위해 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(base die) 성능 개선에 힘을 쏟을 예정이다.

HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만든다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 한다.

SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 자체 D램 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부터는 TSMC가 보유한 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 맞는 맞춤형 HBM을 생산할 예정이다.

양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 첨단 패키징 공정 '칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWoS) 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하기로 했다. HBM 관련 고객 요청에도 공동 대응하기로 했다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라 담당 사장은 "TSMC와 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 고객 맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서 위상을 확고히 하겠다"고 말했다.

케빈 장 TSMC 수석부사장은 "TSMC와 SK하이닉스는 수년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다"며 "HBM4에서도 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 열쇠가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것"이라고 했다.