삼성전자는 '256기가비트 3차원 V낸드' 양산에 성공했다고 11일 밝혔다. 

양산에 성공한 256기가비트 V낸드는 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 용량이 2배 향상된 메모리 칩으로, 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)'을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아올리는 기술이 적용됐다.

또한 256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB)용량의 메모리카드를 만들 수 있고, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일한 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있다. 이에 따라 '테라 SSD 대중화'를 위한 최적의 솔루션을 제공할 수 있을 것으로 보인다.

현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 야산하고 있는 삼성전자는, 지난해 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한지 1년 만에 3세대 3비스 V낸드를 본격 양산했다.

삼성전자에 따르면 3세대 V낸드는 '셀(Cell)'이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시킨다. 이에 따라 각 셀마다 3개의 데이터 를 저장할 수 있어 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 

'3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조'와 '48단 수직 적층 공정', '3비트 저장기술'을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 감소시켰다. 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 크게 높였다.

앞서 삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품을 출시한 바 있다. 이번 256기가 V낸드 양산으로 테라 SSD 대중화를 더욱 앞당길 것으로 전망된다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "3세대 V낸드 양산으로 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.